美國荷蘭日本達(dá)成對(duì)中國芯片禁止協(xié)議，浸潤式DUV光刻機(jī)不賣了
1. 這個(gè)是業(yè)界早就預(yù)期的，因?yàn)榻櫴焦饪虣C(jī)可以用來造14nm芯片，最強(qiáng)可以到7nm。有些相關(guān)技術(shù)常識(shí)。
2. 最先進(jìn)的叫EUV光刻機(jī)，13.5nm的極紫外光源，可以用較少的工序造7nm芯片。次先進(jìn)的光刻機(jī)就是immersion浸潤式DUV光刻機(jī)，光源是193nm的，但是在水里折射變137nm，加工能力更強(qiáng)，多次光罩疊加后可以做14nm芯片。
3. 中國已經(jīng)有一些浸潤式DUV光刻機(jī)，是ASML賣的。拜登搞的協(xié)議將讓ASML和日本尼康都不能賣了，這樣將無法擴(kuò)產(chǎn)。 估計(jì)日本東京電子還會(huì)通過耗材供應(yīng)，卡中芯國際等中國公司現(xiàn)有的光刻機(jī)制造能力。
4. 還能賣的是干法DUV光刻機(jī)，也是193nm光源，這種只能用來造55nm、40nm之類的芯片。28nm都不太方便了。這對(duì)中國芯片擴(kuò)張產(chǎn)能有很大影響。
5. 現(xiàn)在局面明確了，中國公司之前的一些擴(kuò)產(chǎn)假設(shè)需要調(diào)整，不能指望ASML和日本供應(yīng)商，只有一些成熟制程里低級(jí)的還能擴(kuò)產(chǎn)。
6. 最后的關(guān)鍵是，SMEE上電微到底行不行，浸潤式光刻機(jī)搞得如何了，就頂在這了。美國方面應(yīng)該是有了情報(bào)，中國自己沒有搞出可以實(shí)際應(yīng)用的浸潤式光刻機(jī)（中國這可能更習(xí)慣叫28nm光刻機(jī)），所以就推進(jìn)到這了。問題是還要幾年，也不只是光刻機(jī)，還有很多配套。總體來說，群眾慢慢認(rèn)識(shí)到了難度，時(shí)間節(jié)點(diǎn)一再往后推。
